据韩联社11月7日报道，三星电子7日宣布开始量产全球容量最大的1TB（太字节）第8代3D垂直闪存（V-NAND）。这距离三星量产第7代V-NAND时过1年。

        第8代V-NAND的1TB三层式存储单元（Triple Level Cell）在一个Cell中存放3bit数据，是单位面积存储密度达到业界最高水平的大容量闪存。第8代产品采用最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口，数据存取速度达到2.4 Gbps（千兆比特每秒），比上一代提升约1.2倍。同时支持PCIe 4.0插槽，今后还将支持PCIe 5.0接口。

        近来半导体行业掀起闪存堆栈层数竞争。今年美光科技、SK海力士分别宣布研制出232层、238层堆栈闪存。三星电子此前生产的第7代产品是176层堆栈。三星此次虽未披露第8代的堆栈层数，不过此前已多次强调拥有制造200层以上闪存的技术力量。